Sumber Terahertz sok janten salah sahiji téknologi anu paling penting dina widang radisi THz. Seueur cara anu parantos kabuktosan fungsional pikeun ngahontal radisi THz. Biasana, téknologi téktronik sareng fotonik.Dina filed of photonics, nonlinier optik béda-frékuénsi generasi dumasar kana koefisien nonlinier badag, bangbarung ruksakna optik tinggi kristal nonlinier mangrupa salah sahiji cara pikeun ménta kakuatan tinggi, tunable, portabel, sarta suhu kamar operasi gelombang THz.GaSe jeung ZnGeP2(ZGP) kristal nonlinier lolobana appiled.
Kristal GaSe kalawan nyerep low di milimeter & gelombang THz, bangbarung ruksak tinggi na koefisien nonliear kadua tinggi (d22 = 54 pm / V), nu ilahar dipaké pikeun ngolah gelombang Terahertz dina 40μm sarta ogé waveband panjang tunable gelombang Thz (saluareun 40μm).Ieu kabuktian gelombang THz tunable dina 2.60 -39.07μm nalika sudut cocok di 11.19 ° -23.86 ° [eoo (e - o = o)], sarta 2.60 -36.68μm kaluaran lamun sudut cocok di 12.19 ° -27.01 ° [eoe (e). -o = e)].Saterusna, 42,39-5663,67μm gelombang THz tunable dicandak nalika sudut cocok di 1,13 ° -84,71 ° [oee (o - e = e)].
ZnGeP2 (ZGP) kristal kalawan koefisien nonlinier tinggi, konduktivitas termal tinggi, bangbarung ruksak optik tinggi ogé geus researched salaku sumber THz alus teuing.ZnGeP2 ogé gaduh koefisien nonlinier kadua dina d36 = 75 pm/V), nyaéta 160 kali kristal KDP.Dua tipe fase sudut cocok kristal ZGP (1.03 ° -10.34 ° [oee (oe = e)] & 1.04 ° -10.39 ° [oeo (oe = e)]) ngolah sarupa THz output (43.01 -5663.67μm), nu tipe oeo kabukti pilihan hadé alatan koefisien nonlinier efisien luhur.Dina waktu anu pohara lila, proformance kaluaran kristal ZnGeP2 salaku sumber Terahertz diwatesan, sabab kristal ZnGeP2 ti suppliers séjén boga nyerep luhur di wewengkon infra red deukeut (1-2μm): Koéfisién nyerep> 0.7cm-1 @1μm jeung> 0.06 cm-1@2μm.Sanajan kitu, DIEN TECH nyadiakeun ZGP (Modél: YS-ZGP) kristal jeung nyerep super low: Koéfisién nyerep <0.35cm-1@1μm jeung <0.02cm-1@2μm.Kristal YS-ZGP canggih ngamungkinkeun pamaké pikeun ngahontal kaluaran anu langkung saé.
Rujukan:'基于 GaSe 和 Zn GeP2 晶体差频产生可调谐太赫兹辐射的理论研究'2008 Chin.Phys.Soc.
