GSGG Kristal


  • Komposisi:(Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
  • Struktur Kristal:Kubik: a = 12,480 Å
  • Molekul w Konstanta diéléktrik dalapan:968.096
  • Titik lebur:~1730 oC
  • kapadetan:~ 7,09 g/cm3
  • Teu karasa:~ 7.5 (mohn)
  • Indéks réfraktif:1.95
  • Konstanta diéléktrik: 30
  • Rincian produk

    Parameter téknis

    GGG / SGGG / NGG Garnets dipaké pikeun epitaxy.SGGG cair subbatrates ieu dedicated substrat pikeun magneto-optik film.In alat komunikasi optik, merlukeun loba ngagunakeun 1.3u na 1.5u isolator optik, éta komponén inti nyaeta YIG atanapi pilem BIG. disimpen dina médan magnét.
    Substrat SGGG alus teuing pikeun ngembang pilem epitaxial garnet beusi anu diganti bismut, mangrupikeun bahan anu saé pikeun YIG, BiYIG, GdBIG.
    Éta sipat fisik sareng mékanis anu saé sareng stabilitas kimiawi.
    Aplikasi:
    YIG, pilem epitaxy BIG;
    Alat gelombang mikro;
    Ngaganti GGG

    Pasipatan:

    Komposisi (Gd2.6Ca0.4)(Ga4.1Mg0.25Zr0.65)O12
    Struktur Kristal Kubik: a = 12,480 Å ,
    Molekul w Konstanta diéléktrik dalapan 968.096
    Titik Lebur ~1730 oC
    Kapadetan ~ 7,09 g/cm3
    Teu karasa ~ 7.5 (mohn)
    Indéks réfraktif 1.95
    konstanta diéléktrik 30
    Tangén leungitna diéléktrik (10 GHz) ca.3.0 * 10_4
    Métode pertumbuhan kristal Czochralski
    arah tumuwuhna kristal <111>

    Parameter Téknis:

    Orientasi <111> <100> dina ± 15 arc mnt
    Distorsi hareup gelombang <1/4 gelombang@632
    Toleransi diaméterna ± 0,05 mm
    Toleransi Panjang ± 0,2 mm
    Chamfer 0.10mm@45º
    Karataan <1/10 gelombang dina 633nm
    Paralélisme <30 arc Detik
    Perpendicularity <15 busur mnt
    Kualitas permukaan 10/5 scratch / ngagali
    Aperture jelas > 90%
    Diménsi Badag Kristal 2,8-76 mm diaméterna